10조원 투자 이어 낸드플래시 라인 증설
D램·메모리·EUV 등 평택 반도체 기지로
6세대 생산 늘리고, 연내 7세대 기술 완료
中양쯔 등 해외 후발업체와 초격차 고삐
“낸드플래시 1위 넘어 30%대 점유율 확장”삼성전자가 약 8조원을 들여 국내 낸드플래시 생산라인 증설에 나선다. 낸드플래시는 메모리 반도체의 일종으로,전원이 끊겨도 저장된 데이터가 손상되지 않는다. 코로나19로 대내외 불확실성이 높고 후발 주자들의 도전도 거세지만 오히려 투자에 고삐를 당겨야 향후 격차를 벌릴 수 있다고 판단한 것이다. 평택 2라인에서는 현존하는 최첨단 공정인 6세대 V낸드플래시 중심의 생산량 확대에 집중하고 연내에는 7세대 V낸드 기술을 완료하면 ‘초격차’를 유지할 수 있는 기회가 될 것으로 보인다.삼성전자는 1일 반도체를 생산하는 경기 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시 설비를 증설하기로 했다고 발표했다. 투자 규모가 공개되지는 않았지만 업계에서는 이번 설비에 7조~8조원이 투입될 것으로 보고 있다. 삼성전자는 열흘 전인 지난달 21일엔 10조원 규모를 투자한 뒤 열흘 만에 또다시 조 단위를 투입하며 공격적인 모습을 보였다. 내년 하반기에 평택 2라인에서 낸드플래시 제품이 본격적으로 생산되기 시작할 것으로 보인다. 평택캠퍼스는 이로써 D램, 낸드플래시 등 메모리 반도체를 포함해 극자외선(EUV) 파운드리까지 아우르는 ‘삼성 반도체’의 복합생산기지로 거듭나게 됐다.

낸드플래시가 필요한 PC의 수요가 많고 향후 5세대(5G) 이동통신에 대한 전망도 밝다. 비대면 관련 서비스가 늘면서 글로벌 정보통신기술(ICT) 기업들이 데이터 수요를 감당하기 위해 수십조원의 투자를 진행하고 있는 데이터센터에도 낸드플래시가 활용된다. 이번에 증설되는 라인에서 양산할 최첨단 V낸드는 최대 적층 수가 128단에 달한다. 데이터를 저장하는 역할을 하는 낸드플래시는 동일한 크기에 저장 용량을 증대하려면 낸드 셀을 늘려야 한다. 지난해 7월 업계 최초로 6세대 V낸드를 양산한 삼성전자는 기존 최대 적층 수인 128단을 넘어 160단 이상의 초고적층 7세대 낸드플래시 메모리 개발에 열을 올리고 있다.

해외 경쟁자 가운데 중국의 양쯔메모리(YMTC)가 최근 128단 낸드플래시의 연내 양산을 예고하며 삼성전자와 SK하이닉스를 추격하고 있다. 국내 회사들은 지난해부터 6세대 양산에 돌입했는데 양쯔메모리도 올해 양산에 돌입하면 한국 업체와의 기술 격차가 1~2년 내로 좁혀지는 것 아니냐는 우려의 목소리가 나오기도 했다. 김양재 KTB 투자증권 연구원은 “개발하는 것과 그것을 양산해서 수율(전체 생산 대비 양품률)을 올려 경제성 있는 가격으로 파는 것은 다른 문제”라면서 “여전히 기술 격차가 있다고 봐야 한다”고 말했다.

삼성전자는 2002년부터 18년 동안 낸드플래시 시장 1위에 올라 있다. 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 삼성전자는 지난 1분기 말 세계 낸드플래시 시장에서 매출액 기준 점유율 33.3%를 기록하며 1위 자리를 굳건히 지키고 있다. 박재근 한국반도체디스플레이학회장은 “삼성으로선 비대면 시장이 커지고 있는 것을 대비해 선행 투자를 통해 현재 30%대인 시장 장악력을 더 키우려는 것”이라고 말했다.

한재희 기자 jh@seoul.co.kr